MBEを用いたSi(100)基板上の2段階Ge薄膜成長

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第75回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 19a-A16-9

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3295

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 75

開催地: 北海道大学

開催日: 2014/09/17 - 2014/09/20

MBEを用いたSi(100)基板上の2段階Ge薄膜成長

*早瀬凌, 伊藤友樹, 川島知之, 鷲尾勝由

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キーワード: 19a-A16-9, 結晶工学, IV族結晶，IV-IV族混晶, ゲルマニウム, シリコン, 薄膜成長

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