ATR-FTIR法を用いたSiC基板上La2O3とSiNとの界面反応の解析

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第75回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 18p-A17-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3355

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 75

開催地: 北海道大学

開催日: 2014/09/17 - 2014/09/20

ATR-FTIR法を用いたSiC基板上La2O3とSiNとの界面反応の解析

*雷一鳴, 宗清修, 角嶋邦之, 川那子高暢, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 山川聡, 岩井洋, 古山通久, 三浦成久, 名取研二

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キーワード: 18p-A17-1, 結晶工学, IV族系化合物, SiC, La-silicate

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