GaAs MCEにおける表面過飽和度と法線成長速度の関係

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第75回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 18p-A20-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3385

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 75

開催地: 北海道大学

開催日: 2014/09/17 - 2014/09/20

GaAs MCEにおける表面過飽和度と法線成長速度の関係

*冨田将史, 高倉宏幸, 水野陽介, 岩川宗樹, 山田純平, 神林大介, 丸山隆浩, 成塚重弥

著者情報

キーワード: 18p-A20-2, 結晶工学, III-V族エピタキシャル結晶, GaAs, 表面過飽和度, MCE

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2014 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top