InAlAsキャップを用いたIII-V CMOSフォトニクス•プラットフォーム上導波路型InGaAsフォトディテクタの暗電流低減 Dark current reduction of waveguide InGaAs MSM photodetector on III-V CMOS photonics platform by InAlAs cap layer

Yongpeng Cheng; 一宮 佑希; 竹中 充; 高木 信一

doi:10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_986

第75回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 17p-C6-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_986

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 75

開催地: 北海道大学

開催日: 2014/09/17 - 2014/09/20

InAlAsキャップを用いたIII-V CMOSフォトニクス•プラットフォーム上導波路型InGaAsフォトディテクタの暗電流低減 Dark current reduction of waveguide InGaAs MSM photodetector on III-V CMOS photonics platform by InAlAs cap layer

*Yongpeng Cheng, 一宮佑希, 竹中充, 高木信一

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キーワード: 17p-C6-4, 光・フォトニクス, 半導体光デバイス, waveguide photodetector, III-V-OI wafer, monolithic integration

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責任著者(Corresponding author)

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