p 変調ドープInAs/InP ダブルキャップ量子ドット構造の電流注入特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第62回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 12p-A17-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1055

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 62

開催地: 東海大学

開催日: 2015/03/11 - 2015/03/14

p 変調ドープInAs/InP ダブルキャップ量子ドット構造の電流注入特性

*鋤柄俊樹, 山元雄太, 西山哲央, 下村和彦

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キーワード: 12p-A17-6, 光・フォトニクス, 半導体光デバイス, 半導体レーザー，発光ダイオード, 量子ドット, ダブルキャップ, p変調ドープ

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