急冷法によって<i>c</i>軸配向させたSi基板上のPMnN-PZT単結晶薄膜の高温特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第62回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 13a-A21-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1176

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 62

開催地: 東海大学

開催日: 2015/03/11 - 2015/03/14

急冷法によってc軸配向させたSi基板上のPMnN-PZT単結晶薄膜の高温特性

*半澤弘明, 吉田慎哉, 和佐清孝, 田中秀治

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キーワード: 13a-A21-4, 薄膜・表面, 強誘電体薄膜, 強誘電・圧電デバイス, 圧電薄膜, PZT, 温度特性

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