GaAsにおけるNEA活性化表面過程の面方位依存性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第62回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 13p-P7-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1433

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 62

開催地: 東海大学

開催日: 2015/03/11 - 2015/03/14

GaAsにおけるNEA活性化表面過程の面方位依存性

*稲垣雄大, 早瀬和哉, 飯島北斗, 目黒多加志

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キーワード: 13p-P7-6, 薄膜・表面, 表面物理・真空, 表面, 負性電子親和力, GaAs

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