低温Kr/O<sub>2</sub>プラズマ酸化法によるSiO<sub>2</sub>/Si構造の作製および評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第62回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 13a-A24-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_2799

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 62

開催地: 東海大学

開催日: 2015/03/11 - 2015/03/14

低温Kr/O₂プラズマ酸化法によるSiO₂/Si構造の作製および評価

*藤川雄太, 岩崎好孝, 上野智雄

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キーワード: 13a-A24-3, 半導体, 絶縁膜技術, シリコン酸化膜／シリコン酸窒化膜／シリコン窒化膜, プラズマ酸化, Kr

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