In-Plane Gateデバイスの電流‐電圧特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第62回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 13p-P17-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_3050

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 62

開催地: 東海大学

開催日: 2015/03/11 - 2015/03/14

In-Plane Gateデバイスの電流‐電圧特性

*坂元翔, 小野満恒二, 山本秀樹, 堀越佳治, 牧本俊樹

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キーワード: 13p-P17-3, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 新材料及び機能デバイス・回路, ナノデバイス

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