GaAsキャップ層成長温度によるInAs/GaAs量子ドットの広帯域発光波長制御

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第62回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 14a-D4-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_3278

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 62

開催地: 東海大学

開催日: 2015/03/11 - 2015/03/14

GaAsキャップ層成長温度によるInAs/GaAs量子ドットの広帯域発光波長制御

松村拓哉, *海津利行, 喜多隆

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キーワード: 14a-D4-5, 結晶工学, III-V族エピタキシャル結晶, 量子構造, 量子ドット, 分子線エピタキシ

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