膜厚制御メサ加工基板を用いた電流制御型液相成長によるGaN横方向成長

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第62回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 12p-P16-10

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_3365

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 62

開催地: 東海大学

開催日: 2015/03/11 - 2015/03/14

膜厚制御メサ加工基板を用いた電流制御型液相成長によるGaN横方向成長

*岩川宗樹, 高倉宏幸, 冨田将史, 神林大介, 安井亮太, 水野陽介, 丸山隆浩, 成塚重弥

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キーワード: 12p-P16-10, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 成長（液相）, 窒化ガリウム, 液相成長

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