300℃以下プロセスで作製した結晶性GeチャネルTFT

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第62回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 11p-D7-10

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_3419

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 62

開催地: 東海大学

開催日: 2015/03/11 - 2015/03/14

300℃以下プロセスで作製した結晶性GeチャネルTFT

*笠原健司, 永冨雄太, 山本圭介, 東英実, 中野茉莉央, 山田晋也, 金島岳, 中島寛, 浜屋宏平

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キーワード: 11p-D7-10, 結晶工学, IV族結晶，IV-IV族混晶, 結晶成長, ゲルマニウム, 金誘起層交換成長法, 薄膜トランジスター

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