MBEを用いたSi(100)上2段階Ge薄膜成長における表面平坦化条件の検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第62回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 12a-D5-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_3429

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 62

開催地: 東海大学

開催日: 2015/03/11 - 2015/03/14

MBEを用いたSi(100)上2段階Ge薄膜成長における表面平坦化条件の検討

*早瀬凌, 伊藤友樹, 川島知之, 鷲尾勝由

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キーワード: 12a-D5-6, 結晶工学, IV族結晶，IV-IV族混晶, SiGeC, MBE

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