横型CVD装置を用いたSiCエピ膜成長における界面転位の発生と抑制

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第62回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 12a-B4-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_3456

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 62

開催地: 東海大学

開催日: 2015/03/11 - 2015/03/14

横型CVD装置を用いたSiCエピ膜成長における界面転位の発生と抑制

*工藤千秋, 升本恵子, 浅水啓州, 田村謙太郎, 西尾譲司, 児島一聡, 大野俊之

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キーワード: 12a-B4-3, 結晶工学, IV族系化合物, エピ成長, 炭化珪素, エピタキシャル, 界面転位

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