NOアニールを施したSiC MOSデバイスのフラットバンド電圧安定性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第62回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 13p-B4-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_3480

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 62

開催地: 東海大学

開催日: 2015/03/11 - 2015/03/14

NOアニールを施したSiC MOSデバイスのフラットバンド電圧安定性

*勝義仁, 細井卓治, 南園悠一郎, 木本恒暢, 志村考功, 渡部平司

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キーワード: 13p-B4-7, 結晶工学, IV族系化合物, 絶縁膜, パワーデバイス, SiC MOS, NOアニール

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