窒素添加InGaZnO膜の熱処理に対する電気特性評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第62回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 11p-D1-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_3808

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 62

開催地: 東海大学

開催日: 2015/03/11 - 2015/03/14

窒素添加InGaZnO膜の熱処理に対する電気特性評価

*中野慎太郎, 前田雄也, 大黒達也, 百瀬寿代, 諸岡哲, 神例信貴, 鈴木幸治

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キーワード: 11p-D1-3, 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス, 電子デバイス, InGaZnO, 薄膜トランジスタ, 窒素添加

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