エクステンションへのイオン注入に起因するFinFETのGIDL

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第76回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 15p-1C-9

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_2755

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 76

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2015/09/13 - 2015/09/16

エクステンションへのイオン注入に起因するFinFETのGIDL

*松川貴, 柳永勛, 大塚慎太郎, 森貴洋, 森田行則, 大内真一, 更田裕司, 右田真司, 昌原明植

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キーワード: 15p-1C-9, 半導体, デバイス／集積化技術, 新構造デバイス（ナノワイヤ、FinFETなど）, FinFET, GIDL, イオン注入

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