硫黄粉末アニールの減圧化によるスパッタMoS<sub>2</sub>薄膜の結晶性向上

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第76回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 15p-1C-14

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_2760

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 76

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2015/09/13 - 2015/09/16

硫黄粉末アニールの減圧化によるスパッタMoS₂薄膜の結晶性向上

*松浦賢太朗, 大橋匠, 石原聖也, 澤本直美, 日比野祐介, 須田耕平, 角嶋邦之, 筒井一生, 小椋厚志, 若林整

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キーワード: 15p-1C-14, 半導体, デバイス／集積化技術, 新材料デバイス（Si、Ge、III-V、酸化物チャネルなど）, 二硫化モリブデン, スパッタリング法, 硫黄粉末アニール

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