応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
第76回応用物理学会秋季学術講演会
セッションID: 16a-4C-4
会議情報

主催: 公益社団法人 応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 76

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2015/09/13 - 2015/09/16

自立GaN基板上p-n接合ダイオードの初期耐圧不良解析(1)
*堀切 文正, 成田 好伸, 吉田 丈洋, 太田 博, 三島 友義, 中村 徹
著者情報
キーワード: 16a-4C-4, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, GaN, ダイオード, 不良解析
会議録・要旨集 フリー

詳細
PDFをダウンロード (418K)
メタデータをダウンロード RIS形式

(EndNote、Reference Manager、ProCite、RefWorksとの互換性あり)

BIB TEX形式

(BibDesk、LaTeXとの互換性あり)

テキスト
メタデータのダウンロード方法
発行機関連絡先
記事の1ページ目
著者関連情報
© 2015 公益社団法人 応用物理学会
前の記事 次の記事
お気に入り & アラート

閲覧履歴
このページを共有する
feedback
 Top