InAsSb/GaAs層上の面内超高密度InAs量子ドットの発光特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第76回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 14p-2W-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_3058

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 76

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2015/09/13 - 2015/09/16

InAsSb/GaAs層上の面内超高密度InAs量子ドットの発光特性

*鮫島一樹, 山口浩一

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キーワード: 14p-2W-3, 結晶工学, III-V族エピタキシャル結晶, MBE, 分子線エピタキシー, 量子ドット, インジウムヒ素

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