Ge量子ドット/Si界面へのPデルタドーピングが発光特性とドット形成に与える影響

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 21p-P16-12

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1183

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

Ge量子ドット/Si界面へのPデルタドーピングが発光特性とドット形成に与える影響

*渡邊幸樹, 徐学俊, 澤野憲太郎, 丸泉琢也

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キーワード: 21p-P16-12, 光・フォトニクス, シリコンフォトニクス, シリコン上発光デバイス，IV族発光, 量子ドット

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