NVセンターを用いたダイヤモンドデバイス内部電界の検出

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 19p-H103-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1252

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

NVセンターを用いたダイヤモンドデバイス内部電界の検出

*成木航, 岩崎孝之, 田原康佐, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉政彦, 竹内大輔, 山崎聡, 波多野睦子

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キーワード: 19p-H103-5, 薄膜・表面, カーボン系薄膜, ダイヤモンド薄膜, NVセンター, ダイヤモンド, 電界

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