HfO<sub>2</sub>/SiO<sub>2</sub>/Si構造における保持電荷量の評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 20a-H111-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1360

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

HfO₂/SiO₂/Si構造における保持電荷量の評価

*野口和馬, 廣森湧太郎, 宮武真嗣, 奈良安雄

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キーワード: 20a-H111-4, 薄膜・表面, 酸化物エレクトロニクス, 界面、ヘテロ構造, エレクトレット, ハフニウム, 固定電荷

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