Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>を用いた抵抗変化型メモリの多値・アナログメモリ動作

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 21p-H111-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1381

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

Ta₂O₅を用いた抵抗変化型メモリの多値・アナログメモリ動作

*勝村玲音, Grönroos Mika, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫, 安藤秀幸, 森江隆

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キーワード: 21p-H111-4, 薄膜・表面, 酸化物エレクトロニクス, 抵抗変化メモリ, 抵抗変化型メモリ, ReRAM

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