高精度デジタルウェットエッチング技術によるGaAsナノ構造形成

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 20p-P8-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1876

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

高精度デジタルウェットエッチング技術によるGaAsナノ構造形成

*黒田亮太, 佐藤将来, 葛西誠也

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キーワード: 20p-P8-4, 応用物性, ナノエレクトロニクス, ナノ材料とプロセス, GaAs, ウェットエッチング, ナノワイヤ

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