原子層堆積（ALD）温度を変えて形成したAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>膜の電気特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 20p-S221-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_2903

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

原子層堆積（ALD）温度を変えて形成したAl₂O₃膜の電気特性

*平岩篤, 松村大輔, 川原田洋

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キーワード: 20p-S221-4, 半導体, 絶縁膜技術, ゲート絶縁膜, Al2O3, ゲート絶縁膜, ALD

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