TCADを用いたSiへのイオン注入とアニール効果

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 21a-P2-17

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_292

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

TCADを用いたSiへのイオン注入とアニール効果

*広田悠輝, 中口陽介, 足立拓磨, 高濱滉太, 向井浩二, 田中武

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キーワード: 21a-P2-17, 応用物理学一般, 教育, 教材開発，物理実験, 教育, 半導体, TCAD

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