ナノワイヤ型不純物偏析ショットキー接合MOSFETにおけるワイヤ幅縮小効果

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 20a-S422-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3024

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

ナノワイヤ型不純物偏析ショットキー接合MOSFETにおけるワイヤ幅縮小効果

*遠藤清, 橋本修一郎, 武井康平, ソンセイ, 張旭, 徐泰宇, 麻田修平, 大場俊輔, 松川貴, 昌原明植, 渡邉孝信

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キーワード: 20a-S422-7, 半導体, デバイス／集積化技術, 新構造デバイス（ナノワイヤ、FinFETなど）, MOSFET, ナノワイヤ

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