SOI-FETにおける強誘電体HfO<sub>2</sub>の負性容量を利用した急峻スイッチングの検討：BOX膜厚設計の重要性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 20p-S422-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3035

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

SOI-FETにおける強誘電体HfO₂の負性容量を利用した急峻スイッチングの検討：BOX膜厚設計の重要性

*太田裕之, 右田真司, 福田浩一, 服部淳一, 鳥海明

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キーワード: 20p-S422-6, 半導体, デバイス／集積化技術, デバイス動作原理、諸現象, 急峻スイッチング, 負性容量, 強誘電

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