Realization of Ge n- and p-MOSFETs by using low thermal budget ionimplantation after germanidation technique (< 400 °C)

The 63rd JSAP Spring Meeting 2016

セッションID: 21a-S422-8

会議情報

主催: The Japan Society of Applied Physics

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

Realization of Ge n- and p-MOSFETs by using low thermal budget ionimplantation after germanidation technique (< 400 °C)

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キーワード: 21a-S422-8, Ge, MOSFET, CMOS

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