n型およびp型GaN中のプラズマ照射誘起欠陥挙動

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 20p-P9-9

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3098

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

n型およびp型GaN中のプラズマ照射誘起欠陥挙動

古賀祐介, 井上凌兵, *中村成志, 奥村次徳

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キーワード: 20p-P9-9, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, プラズマ照射誘起欠陥

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