RF-MBE 法により作製したEu 添加立方晶及び六方晶GaN 薄膜の結晶構造の蛍光X 線ホログラフィーによる評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 20p-S223-14

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3188

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

RF-MBE 法により作製したEu 添加立方晶及び六方晶GaN 薄膜の結晶構造の蛍光X 線ホログラフィーによる評価

*弓達新治, 北村優天, 小山裕生, 宮田晃, 白方祥, 八方直久, 細川伸也, 林好一

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キーワード: 20p-S223-14, 半導体, 光物性・発光デバイス, 希土類添加, 希土類添加, 蛍光X 線ホログラフィー

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