ドット密度の高密度化効果により障壁層を薄膜化した多層積層量子ドット構造の分子線成長とレーザ評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 21a-H112-11

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3368

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

ドット密度の高密度化効果により障壁層を薄膜化した多層積層量子ドット構造の分子線成長とレーザ評価

*影山健生, ヴォクオックフイ, 渡邉克之, 武政敬三, 菅原充, 岩本敏, 荒川泰彦

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キーワード: 21a-H112-11, 結晶工学, III-V族エピタキシャル結晶, 量子構造, 量子ドット, 半導体レーザ, 分子線成長

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