InGaN 量子井戸の選択領域In 拡散によるバンドギャップ制御と光導波路作製

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 20a-H121-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3413

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

InGaN 量子井戸の選択領域In 拡散によるバンドギャップ制御と光導波路作製

*横川俊哉, 栫拓也, 今井康彦, 木村滋

著者情報

キーワード: 20a-H121-6, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 光物性（InGaN, InN）, 窒化物半導体, 量子井戸, 拡散

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2016 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top