InGaN/GaN規則配列ナノコラムにおける局在深さの解析

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 20a-H121-9

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3416

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

InGaN/GaN規則配列ナノコラムにおける局在深さの解析

*金城一哉, 猪瀬裕太, 佐藤光, 江馬一弘, 中岡俊裕, 大音隆男, 岸野克巳

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キーワード: 20a-H121-9, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 光物性（InGaN, InN）, InGaN

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