ステップ高さ制御SiC基板上AlN層の高分解能X線回折評価における界面局在ミスフィット転位に起因する横方向サテライトピーク

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 20p-H121-10

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3428

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

ステップ高さ制御SiC基板上AlN層の高分解能X線回折評価における界面局在ミスフィット転位に起因する横方向サテライトピーク

*金子光顕, 木本恒暢, 須田淳

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キーワード: 20p-H121-10, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 成長（MBE, スパッタリング）, 窒化物半導体, X線回折, 炭化珪素

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