c-BN薄膜のイオンビームアシストMBE成長における基板へのバイアス電圧印加の効果

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 20p-H121-13

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3431

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

c-BN薄膜のイオンビームアシストMBE成長における基板へのバイアス電圧印加の効果

*平間一行, 谷保芳孝, 山本秀樹, 熊倉一英

著者情報

キーワード: 20p-H121-13, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 成長（MBE, スパッタリング）, 立方晶窒化ホウ素, MBE, ダイヤモンド

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2016 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top