Pico-second Laser epitaxy for GaN regrowth

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

The 63rd JSAP Spring Meeting 2016

セッションID: 22a-P6-15

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3496

会議情報

主催: The Japan Society of Applied Physics

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

Pico-second Laser epitaxy for GaN regrowth

*Romualdo Alejandro Ferreyra, Tomohiro Kazumoto, Hideki Matsumura, Asamira Suzuki, Daisuke Ueda

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キーワード: 22a-P6-15, Picosecond PLD, n+-GaN regrowth, Power FET

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© 2016 The Japan Society of Applied Physics

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