GaN/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 基板およびGaN 基板に成長したInGaN/GaN MQW 太陽電池特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 19p-W541-12

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_93

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

GaN/Ga₂O₃ 基板およびGaN 基板に成長したInGaN/GaN MQW 太陽電池特性

*渡邉則之, 満原学, 重川直輝

著者情報

キーワード: 19p-W541-12, シンポジウム, 化合物薄膜太陽電池の高効率化技術の現在と未来, 窒化物半導体, 太陽電池, InGaN/GaN MQW

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