PLD法によりSiOターゲットから作製したSiO<sub>2</sub>薄膜の表面ラフネス評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 14a-A37-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_1440

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

PLD法によりSiOターゲットから作製したSiO₂薄膜の表面ラフネス評価

*西慎太郎, 上岡聡史, 谷脇将太, 吉田晴彦, 新船幸二, 佐藤真一, 堀田育志

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キーワード: 14a-A37-1, 薄膜・表面, 薄膜新材料, 誘電性薄膜, High-k

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