非接触走査型非線形誘電率ポテンショメトリによるSi(111)-(7x7)表面における分極電荷密度の原子スケール観察

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 14p-A32-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_1500

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

非接触走査型非線形誘電率ポテンショメトリによるSi(111)-(7x7)表面における分極電荷密度の原子スケール観察

*山末耕平, 長康雄

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キーワード: 14p-A32-4, 薄膜・表面, プローブ顕微鏡, 走査型プローブ顕微鏡, 走査型非線形誘電率顕微鏡, 自発分極, 永久双極子

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