耐放射線性FEA撮像素子用CdTe/CdS光電変換膜のガンマ線照射下における電流電圧特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 15p-B5-16

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_1564

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

耐放射線性FEA撮像素子用CdTe/CdS光電変換膜のガンマ線照射下における電流電圧特性

*岡本保, 猪狩朋也, 後藤康仁, 佐藤信浩, 秋吉優史, 高木郁二

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キーワード: 15p-B5-16, ビーム応用, 電子ビーム応用, 電子ビームデバイス, CdTe, II-VI化合物, FEA撮像素子

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