n型GaN光電気化学水酸化反応における半導体－電解液界面のキャリア移動モデルとその物理

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 15p-A24-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_22

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

n型GaN光電気化学水酸化反応における半導体－電解液界面のキャリア移動モデルとその物理

*藤井克司, 小池佳代, 後藤武生

著者情報

キーワード: 15p-A24-7, シンポジウム, 太陽光水素製造触媒の材料と物理, 光電気化学反応, n型GaN, 水分解水素生成

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2016 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top