(t-C<sub>4</sub>H<sub>9</sub>)<sub>2</sub>S<sub>2</sub>を用いたMoS<sub>2</sub>薄膜作製およびS/Mo比の硫化条件依存

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 14p-A33-11

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_235

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

(t-C₄H₉)₂S₂を用いたMoS₂薄膜作製およびS/Mo比の硫化条件依存

*石原聖也, 日比野祐介, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太郎, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 若林整, 小椋厚志

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キーワード: 14p-A33-11, シンポジウム, 機能性原子薄膜材料の新展開－成膜技術－, 二硫化モリブデン

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