イオン注入によって作製したGaVNの電気化学特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 15p-A24-9

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_24

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

イオン注入によって作製したGaVNの電気化学特性

*田邉真一, ジアチンシン, 熊諳珂, 脇一太郎

著者情報

キーワード: 15p-A24-9, シンポジウム, 太陽光水素製造触媒の材料と物理, GaN, イオン注入

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2016 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top