酸化剤を変えて形成した原子層堆積Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>膜の電気特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 15a-B9-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2676

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

酸化剤を変えて形成した原子層堆積Al₂O₃膜の電気特性

*大久保智, 松村大輔, 平岩篤, 川原田洋

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キーワード: 15a-B9-2, 半導体, 絶縁膜技術, ゲート絶縁膜, アルミナ, 原子層堆積, 電気伝導

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