極薄InGaAs界面層を有するGaAsSb MOS界面特性の評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 15p-B9-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2686

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

極薄InGaAs界面層を有するGaAsSb MOS界面特性の評価

*後藤高寛, 満原学, 星拓也, 杉山弘樹, 竹中充, 高木信一

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キーワード: 15p-B9-6, 半導体, 絶縁膜技術, III／V族半導体, III-V族化合物半導体, pMOSFET, TFET

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