p<sup>++</sup>-GaN薄層を用いた縦型p<sup>++</sup>-n接合ダイオード

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 15a-B1-9

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2868

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

p⁺⁺-GaN薄層を用いた縦型p⁺⁺-n接合ダイオード

*柘植博史, 堀切文正, 成田好伸, 金田直樹, 中村徹, 三島友義

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キーワード: 15a-B1-9, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, 窒化ガリウム, p-n接合ダイオード

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