p型AlGaNコンタクト層を用いた深紫外LEDの注入効率に関する検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 13a-A21-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_3101

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

p型AlGaNコンタクト層を用いた深紫外LEDの注入効率に関する検討

*定昌史, 平山秀樹

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キーワード: 13a-A21-1, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, デバイス，プロセス, AlGaN, LED, Device simulation

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