Si基板上縦型高出力AlGaN FET実現を目指した導電性AlNバッファ層の形成

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 16a-A21-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_3154

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

Si基板上縦型高出力AlGaN FET実現を目指した導電性AlNバッファ層の形成

*黒瀬範子, 青柳克信, 尾関宏太, 荒木努

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キーワード: 16a-A21-6, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 成長（MOVPE）, AlN, Si 基板, 縦型FET

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